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天線效應（Antenna Effect）
天線效應發(fā)生在芯片生產的過程中，與晶體管相連的金屬導線由于其上面幾層金屬層還沒有淀積上，因此處在一種浮在圓片表面的狀態(tài)，這些浮著的金屬線將會作為天線收集后續(xù)工藝中的電荷（比如等離子刻蝕）將這些電荷全都儲藏在柵極，當電荷達到一定數量時會擊穿柵氧化層，就會造成器件的毀壞。在設計中柵面積與金屬線面積必須滿足一定比例。這一比例表明在天線效應問題發(fā)生之前邏輯門的輸入能與多少條金屬線相連，換句話說，這意味著晶體管的柵極能夠容納多少電荷。通過插入跨線或者插入二極管的方法，可以有效地避免天線效應[2]。
(5) 接地反彈與襯底耦合（Ground bounce Underlay coupling）
接地反彈簡稱地彈，指由于電路中較大的電流涌動而在電源與地平面間產生大量噪聲的現象。如大量芯片同步切換時，會產生一個較大的瞬態(tài)電流從芯片與電源平面流過，芯片封裝與電源間的寄生電感、電容和電阻會引發(fā)電源噪聲，使得零電位平面上產生較大的電壓波動（可能高達2v），足以造成其它元器件的錯誤動作。由于地平面的分割（數字地、模擬地、屏蔽地等），可能引起數字信號走到模擬地區(qū)域時，產生地平面回流反彈。
同樣電源平面分割，也可能出現同樣危害。負載容性的增大、阻性的減小、寄生參數的增大、切換速率增高以及同步切換數目的增加，均可能導致接地反彈增加。
同時，襯底耦合可能使設計面臨更大的挑戰(zhàn)。在硅片設計中，由于襯底和阱具有有限的電阻率，其上流過電流時會產生一定的壓降。而MOSFET管的閾電壓（開啟）取決于在柵區(qū)下面的襯底（或阱）的有效電壓，這意味著任何襯底電流不僅能越過MOSFET管的閾電壓，而且能越過邏輯門或時鐘電路的閾電壓，使設計很不可靠。隨著水平尺度與垂直尺度的下降，襯底和阱層的電阻增大，情況就變得更壞。
